項目領(lǐng)域：第三代半導(dǎo)體

項目簡介：本項目是北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司的AlGaN基紫外LED芯片和Si基GaN外延材料和器件新建項目工程，項目投入總資金11,476.72萬元，其中建設(shè)投資5,709.92萬元，流動資金1,403.32萬元。項目建成后將在形成6寸Si基GaN系列外延片1.6萬片/年、UV-LED芯片260KK/年的生產(chǎn)能力。

項目單位：北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司